參數(shù)資料
型號： IRF7452
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.060ohm，身份證\u003d 4.5A）
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代理商： IRF7452
IRF7452
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
,
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
2.7A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
I
,
S
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
°
T = 150 C
°
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
DS
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7453PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7453 Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A)
IRF7455PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
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參數(shù)描述
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