參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7452
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.060ohm，身份證\u003d 4.5A）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： IRF7452
IRF7452
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.11
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
3.4
–––
–––
33
–––
7.3
–––
16
–––
9.5
–––
11
–––
16
–––
13
–––
930
–––
300
–––
84
–––
1370
–––
–––
170
–––
280
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 2.7A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
50 I
D
= 2.7A
11
nC
24
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
S
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 2.7A
R
G
= 6.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
200
4.5
0.25
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 2.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 2.7A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
77
270
1.3
120
410
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
36
A
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
0.060
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 2.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 24V
V
GS
= -24V
5.5
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
Max.
50
Units
°
C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7453PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7453 Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A)
IRF7455PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7455 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7452HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC
IRF7452PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7452QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7452QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRF7452QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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