參數(shù)資料
型號: IRF7324PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm)
中文描述: HEXFET功率MOSFET(- 20V的,0.018ohm)
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 174K
代理商: IRF7324PBF
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
0
10
20
30
40
50
60
-ID , Drain Current (A)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
RD
)
VGS = -4.5V
VGS = -2.5V
Fig 14b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.010
0.015
0.020
0.025
RD
)
ID = -9.0A
相關PDF資料
PDF描述
IRF7328PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7329PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7342QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7343IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7353D1PBF FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7324TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Dual P-Channel 20 V 2 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7324TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7325 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7325HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 7.8A 8-Pin SOIC
IRF7325PBF 功能描述:MOSFET DUAL -12V P-CH HEXFET 24mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube