參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7324PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（- 20V的，0.018ohm）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： IRF7324PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.0A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
180
300
-1.2
270
450
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
-71
2.0
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-20
–––
–––
-0.02
–––
––– 0.018
––– 0.026
-0.45 –––
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
42
–––
7.1
–––
12
–––
17
–––
36
–––
170
–––
190
––– 2940 –––
–––
630
–––
420
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -9.0A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -7.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -9.0A
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -12V
V
GS
= 12V
I
D
= -9.0A
V
DS
= -16V
V
GS
= -5.0V
V
DD
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 10
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0MHz
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
-1.0
–––
-1.0
-25
-100
100
63
11
18
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
300μs duty cycle
≤
Surface mounted on FR-4 board,
≤
10sec
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7328PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7329PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7342QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7343IPBF HEXFET Power MOSFET
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