參數(shù)資料
型號(hào): IRF7313PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大小: 216K
代理商: IRF7313PBF
1
10
100
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
VDS
3.0V
VGS
D
I
1
10
100
0.1
1
10
A
VDS
D
I
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
3.0V
VGS
1
10
100
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 10V
20μs PULSE WIDTH
1
10
100
0.4
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
I
S
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7313 HEXFET POWER MOSFET
IRF7317 LED, LOW CURRENT, 5MM
IRF7319 HEXFET?? Power MOSFET
IRF7321D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7324D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7313QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7313QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7313TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO
IRF7313TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7313TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube