參數(shù)資料
型號： IRF7311
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： IRF7311
IRF7311
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.7A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
0.72
52
58
1.0
77
86
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
26
2.5
A
S
D
G
Surface mounted on 1 in square Cu board
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
4.1A, di/dt
≤
92A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Starting T
J
= 25°C, L = 12mH
R
G
= 25
, I
AS
= 4.1A.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
––– 0.027 –––
––– 0.023 0.029
––– 0.030 0.046
0.7
–––
–––
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
–––
2.2
–––
6.2
–––
8.1
–––
17
–––
38
–––
31
–––
900
–––
430
–––
200
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 6.0A
V
GS
= 2.7V, I
D
= 5.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 6.0A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 55°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= 6.0A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 10
V
DD
= 10V
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 9
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
1.0
5.0
100
-100
27
3.3
9.3
12
25
57
47
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7313QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7316PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7324PBF HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm)
IRF7328PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7329PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7311HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.6A 8PIN SO - Rail/Tube
IRF7311PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7311TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7311TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
IRF7311TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*