| 型號: | IRF7233 |
| 廠商: | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述: | Thermoelectric Cooler Controller |
| 中文描述: | 熱電冷卻器控制器 |
| 文件頁數(shù): | 1/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 416K |
| 代理商: | IRF7233 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRF750A | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為400V,導(dǎo)通電阻為0.3Ω,漏電流為15A)) |
| IRF750 | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為400V,導(dǎo)通電阻為0.3Ω,漏電流為15A)) |
| IRF820A | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為500V,導(dǎo)通電阻為3.0Ω,漏電流為2.5A)) |
| IRF820S | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為500V,導(dǎo)通電阻為3.0Ω,漏電流為2.5A)) |
| IRF840S | N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為500V,導(dǎo)通電阻為0.85Ω,漏電流為8A)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF7233PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7233PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7233TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7233TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7233TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |