參數(shù)資料
型號： IRF6691
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
中文描述： HEXFET功率MOSFET的加肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 228K
代理商： IRF6691
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.7V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.7V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
1
2
3
4
5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
RD
ID = 32A
VGS = 10V
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IRF6691TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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IRF6691TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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