參數(shù)資料
型號： IRF6662
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFet Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
中文描述： DirectFET功率MOSFET的典型值（除非另有說明）
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： IRF6662
IRF6662
6
www.irf.com
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 15a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16b.
Unclamped Inductive Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 16a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 17b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
Fig 17a.
Switching Time Test Circuit
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
相關PDF資料
PDF描述
IRF6691 HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
IRF6712SPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6712STRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6716MTRPbF DirectFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6662TR1 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF6662TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 47A 22mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6662TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6662TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6665 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*