參數(shù)資料
型號： IRF6620
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 180K
代理商： IRF6620
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
20
–––
–––
–––
1.55
–––
–––
–––
–––
–––
110
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
16
2.1
2.8
–––
-5.8
–––
–––
–––
–––
–––
28
9.5
3.5
8.8
6.2
12
16
18
80
20
6.6
4130
1160
560
Max. Units
–––
–––
2.7
3.6
2.45
–––
1.0
150
100
-100
–––
42
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 17
nC
ns
pF
Diode Characteristics
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
3.5
I
S
A
I
SM
–––
–––
220
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
0.8
23
13
1.0
35
20
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V, I
D
= 22A
Conditions
= 1.0MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 22A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 22A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 22A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 27A
T
J
= 25°C, I
F
= 22A
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 22A, V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.16mH,
R
G
= 25
, I
AS
= 22A.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on 1 in. square Cu board.
Used double sided cooling, mounting pad.
Mounted on minimum footprint full size board with metalized
back and with small clip heatsink.
T
C
measured with thermal couple mounted to top (Drain) of
part.
R
θ
is measured at
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