參數(shù)資料
型號： IRF6614
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 259K
代理商： IRF6614
www.irf.com
5
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
ID
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
IS
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
EA
ID
TOP
4.3A
6.4A
BOTTOM
10.2A
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
DC
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6617TR1 HEXFET Power MOSFET
IRF6617 HEXFET Power MOSFET
IRF6620 HEXFETPower MOSFET
IRF6626 DirectFET TM Power MOSFET
IRF6635PBF DirectFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6614TR1 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6614TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 55A 8.3mOhm 19nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6614TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6614TRPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6616 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*