參數(shù)資料
型號： IRF640FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道200伏，0.150Ω- 18A條- TO-220/FP網(wǎng)眼OVERLAYTM MOSFET的（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： IRF640FP
IRF640
IRF640FP
N - CHANNEL 200V - 0.150
- 18A - TO-220/FP
MESH OVERLAY
MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.150
I
EXTREMELYHIGH dV/dt CAPABILITY
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he
company’s consolidatedstrip layout-based MESH
OVERLAY
process. This technology matches
and improves the performances compared with
standardparts from various sources.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
I
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTINGEQUIPMENT.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
December 1998
TO-220
TO-220FP
1
2
3
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
IRF640
IRF640FP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
First Digit of the DatecodeBeing Z or K IdentifiesSiliconCharacterized in this Datasheet
(**) Limited only by Maximum Temperature Allowed
200
200
±
20
V
V
V
A
A
A
W
18
11
72
125
1.0
5
18(**)
11(**)
72
40
0.32
5
2000
W/
o
C
V/ns
V
o
C
o
C
dv/dt(
1
)
V
ISO
T
stg
T
j
-65 to 150
150
(
1
) I
SD
≤
18A, di/dt
≤
300 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.18
< 0.18
I
D
IRF640
IRF640FP
200 V
200 V
18 A
18 A
1/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF640 N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N溝道功率MOSFET)
IRF640S N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
IRF640S Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRF730 N-Channel 400V-0.75Ω-5.5A - TO-220 PowerMESHTM MOSFET(N溝道功率MOSFET)
IRF740ST4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF640H 制造商:HARRIS 功能描述:IRF640
IRF640L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF640LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640N 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF640N_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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