參數(shù)資料
型號(hào)： IRF640
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 18A, 200V, 0.180 Ohm,, N-Channel PowerMOSFET(18A, 200V, 0.180 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： IRF640
4-211
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
1
1
I
D
,100
100
T
C
= 25
o
C
T
J
= MAX RATED
SINGLE PULSE
1000
OPERATION IN THIS AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
DC
100
μ
s
10
μ
s
1ms
10ms
T
C
= 25
o
C
1000
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
0
0
12
24
36
48
6
12
18
24
30
60
7V
6V
5V
4V
10V
8V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
6
0
1.0
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.0
3.0
5.0
12
18
I
D
,
V
GS
= 6V
24
4.0
V
GS
= 7V
30
V
GS
= 8V
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
4
6
8
10
2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
0.1
1
10
I
D
,
100
150
o
C
25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
0
0.6
0.9
1.2
15
30
45
60
r
D
,
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
75
1.5
0
0.3
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
O
)
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
N
3.0
1.8
1.2
0.6
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
100 120 140
160
2.4
80
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V, I
D
= 18A
IRF640, RF1S640SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF710 2.0A, 400V, 3.600 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(2.0A, 400V, 3.600 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF9233 CAP CER 250VAC 330PF X7R 1808
IRF9231 -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9232 -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFC150 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
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參數(shù)描述
IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF640 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF640/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Field Effect Transistor
IRF640_R4941 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 200V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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