參數(shù)資料
型號： IRF630PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的RDS（on）\u003d 0.40ヘ，身份證\u003d 9.0,9.0）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 2112K
代理商： IRF630PBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"
#$
# %
&& %# %'$
(
)*+(#",(
相關PDF資料
PDF描述
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF646 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF6604 Power MOSFET
IRF6607 Power MOSFET
IRF6607TR1 Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF630SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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