參數(shù)資料
型號： IRF620
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(5.0A, 200V, 0.800 Ohm,,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： IRF620
4-200
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
40
N
B
120
160
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
1000
200
0
10
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
C
600
800
400
C
ISS
C
OSS
C
RSS
30
40
50
0
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
0
2
4
6
8
1
2
3
4
5
10
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
>
I
D(ON)
x r
DS(ON) MAX
0
2
3
4
1
1
10
100
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
0
4
8
12
16
5
10
15
20
I
D
= 6A
20
20
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
IRF620
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6217 AC 6C 6#16S SKT PLUG
IRF630PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF630SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40ヘ , ID = 9.0A )
IRF646 14A, 275V, 0.280 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF6604 Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF620 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF620_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6201TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF620A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*