參數(shù)資料
型號： IRF5210LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 707K
代理商： IRF5210LPBF
4
www.irf.com
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1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
25
50
75
100
125
150
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
-G
VDS= -80V
VDS= -50V
VDS= -20V
ID= -23A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-S
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
-D
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5210SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF5305LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF5305SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF530SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF5803D2PBF FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF5210PBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5210PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -100V -40A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
IRF5210PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF5210S 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK
IRF5210SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 40A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
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