參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3711
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 6.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRF3711
4
www.irf.com
IRF3711/3711S/3711L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
,Source-to-Drain Voltage (V)
SD
1.4
2.0
2.6
V
I
,
S
V
= 0 V
GS
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
12
14
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
30A
V
= 10V
DS
V
= 16V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3711L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3711S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3717 HEXFETPower MOSFET
IRF3805S-7P AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF3711HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRF3711L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3711LHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-262 - Bulk
IRF3711LPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3711PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6mOhm HEXFET 110A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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