參數(shù)資料
型號: IRF3711
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 6.0mohm,身份證\u003d已廢除)
文件頁數(shù): 3/11頁
文件大小: 245K
代理商: IRF3711
www.irf.com
3
IRF3711/3711S/3711L
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
10V
3.7V
3.0V
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
DS
2.7V
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
DS
2.7V
10
100
1000
2.0
3.0
V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
V
20μs PULSE WIDTH
= 25V
DS
, Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
GS
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
,
(
D
V
=
I =
GS
10V
110A
相關PDF資料
PDF描述
IRF3711L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3711S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3717 HEXFETPower MOSFET
IRF3805S-7P AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3711HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRF3711L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3711LHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN TO-262 - Bulk
IRF3711LPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3711PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6mOhm HEXFET 110A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube