參數(shù)資料
型號(hào): IR2112-2
英文描述: High and Low Side Driver. Shutdown Input. High Creepage Package in a 16-pin DIP -2 leads package
中文描述: 高和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。關(guān)斷輸入。高漏電封裝采用16引腳DIP -2引線封裝
文件頁(yè)數(shù): 7/15頁(yè)
文件大小: 275K
代理商: IR2112-2
7
IR2110/IR2113
www.irf.com
Figure 12A. Logic “1” Input Threshold vs. Temperature
Figure 12B. Logic “1” Input Threshold vs. Voltage
Figure 10A. Turn-On Rise Time vs. Temperature
Figure 11A. Turn-Off Fall Time vs. Temperature
Figure 11B. Turn-Off Fall Time vs. Voltage
Figure 10B. Turn-On Rise Time vs. Voltage
0
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40
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V
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Supply Voltage (V)
T
Max.
Typ.
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3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
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-25
0
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50
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100
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Temperature (
°
C)
L
Min.
Max
0.0
3.0
6.0
9.0
12.0
15.0
5
7.5
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V
DD
Logic Supply Voltage (V)
L
Min.
Max
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IR2113-1 MOSFET Driver
IR2113-2 MOSFET Driver
IR2113E6 IR2113E6
IR2113L6 SINGLE MOSFET DRIVER|CMOS|DIP|14PIN|CERAMIC
IR211 SLOTTED SWITCH 5mm GAP 9mm LEAD SPACING
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IR2112-2PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
IR2112PBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112S 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IR2112SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件