參數(shù)資料
型號(hào)： IR2112-2
英文描述： High and Low Side Driver. Shutdown Input. High Creepage Package in a 16-pin DIP -2 leads package
中文描述： 高和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。關(guān)斷輸入。高漏電封裝采用16引腳DIP -2引線封裝
文件頁(yè)數(shù)： 5/15頁(yè)
文件大小： 275K
代理商： IR2112-2
5
IR2110/IR2113
www.irf.com
Figure 1. Input/Output Timing Diagram
Figure 2. Floating Supply Voltage Transient Test Circuit
Figure 3. Switching Time Test Circuit
Figure 4. Switching Time Waveform Definition
Figure 6. Delay Matching Waveform Definitions
Figure 3. Shutdown Waveform Definitions
HIN
LIN
tr
ton
tf
toff
HO
LO
50%
50%
90%
90%
10%
10%
SD
tsd
HO
LO
50%
90%
HIN
LIN
HO
50%
50%
10%
LO
90%
MT
HO
LO
MT
(0 to 500V/600V)
HV =10 to 500V/600V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IR2113-1 MOSFET Driver
IR2113-2 MOSFET Driver
IR2113E6 IR2113E6
IR2113L6 SINGLE MOSFET DRIVER|CMOS|DIP|14PIN|CERAMIC
IR211 SLOTTED SWITCH 5mm GAP 9mm LEAD SPACING
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IR2112-2PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
IR2112PBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112S 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IR2112SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
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