參數(shù)資料
型號(hào)： IPS0551T
廠商： International Rectifier
英文描述： FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述： 充分保護(hù)功率MOSFET開關(guān)
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： IPS0551T
IPS0551T
www.irf.com
9
0
20
40
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-25
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Iin,on
Iin,off
0
2
4
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8
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0
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50
75
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Treset
rise time
fall time
Figure 17 - Inputcurrent (
μ
A) Vs Junction (
o
C)
Figure 18 - Turn-on, Turn-off and Treset (
μ
S) Vs Tj (
o
C)
80%
85%
90%
95%
100%
105%
110%
115%
120%
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0
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50
75
100 125 150
Vds clamp @ Isd
Vin clamp @ 10mA
Figure 19 - Vin clamp1 & Vin clamp2 (%) Vs Tj (
o
C)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IPS0551T(TO220) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273AA
IPS05N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPS05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS05N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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