參數(shù)資料
型號： IPS0551T
廠商： International Rectifier
英文描述： FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述： 充分保護功率MOSFET開關(guān)
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 106K
代理商： IPS0551T
IPS0551T
www.irf.com
7
Figure 9 - Turn-ON Delay Time, Rise Time & Time
to 130% final Rds(on) (us) Vs IN Resistor (
)
Figure 10 - Turn-OFF Delay Time & Fall Time (us)
Vs IN Resistor (
)
1
1 0
1 00
1 0
1 00
1 00 0
delay off
fall time
1
1 0
1 0 0
delay on
rise time
130% rdson
10 100 1000
Figure 12 - Over-current (A) Vs Temperature (
o
C)
Figure 11 - Current Iim. & Ishutdown (A) Vs Vin (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
1
2
3
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5
6
7
8
9
Isd 25°C
Ilim 25°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IPS0551T(TO220) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 37V V(BR)DSS | TO-273AA
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IPS05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS05N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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