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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70125L35J |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
| 中文描述： | 2K X 9 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52 |
| 封裝： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | IDT70125L35J |
6.10
8
IDT 70121/70125S/L
HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(1,2,3)
t
APS
ADDR
'A'
DATA
IN 'A'
MATCH
t
WC
t
WP
R/
W
'A'
ADDR
'B'
DATA
OUT 'B'
MATCH
BUSY
'B'
t
BDA
t
DW
t
DH
VALID
VALID
t
DDD(4)
t
WDD
t
BDD
2654 drw 09
(1)
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH
BUSY
NOTES:
1. tWH must be met for both
BUSY
input (slave) and output (master).
2.
BUSY
is asserted on port 'B' blocking R/
W
'B',
until
BUSY
'B'
goes High.
3. All timing is the same for left and right ports. Port 'A' may be either left or right port. Port 'B' is the opposite from port 'A'.
2654 drw 10
R/
W
'A'
BUSY
'B'
t
WP
t
WB
R/
W
'B'
t
WH
(1)
( 2 )
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for Slave (IDT 70125).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4.
All
timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port 'B' is opposite from port 'A'.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70125L45J | HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
| IDT70121 | Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70121L | HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
| IDT70121S | Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70125L | Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70125L35JG | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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| IDT70125L35JI8 | 功能描述:IC SRAM 18KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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