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參數(shù)資料
| 型號： | ICS85411AMLFT |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 3/15頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:2 650MHZ 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 系列： | HiPerClockS™ |
| 類型： | 扇出緩沖器（分配） |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 1:2 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 是/是 |
| 輸入： | HCSL，LVDS，LVHSTL，LVPECL，SSTL |
| 輸出： | LVDS |
| 頻率 - 最大： | 650MHz |
| 電源電壓： | 2.97 V ~ 3.63 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱： | 85411AMLFT |
IDT / ICS DIFFERENTIAL-TO-LVDS FANOUT BUFFER
11
ICS85411AM REV. C JANUARY 20, 2009
ICS85411
LOW SKEW, 1-TO-2 DIFFERENTIAL-TO-LVDS FANOUT BUFFER
POWER CONSIDERATIONS
This section provides information on power dissipation and junction temperature for the ICS85411.
Equations and example calculations are also provided.
1. Power Dissipation.
The total power dissipation for the ICS85411 is the sum of the core power plus the power dissipated in the load(s).
The following is the power dissipation for V
DD
= 3.3V + 10% = 3.63V, which gives worst case results.
Power (core)
MAX
= V
DD_MAX
* I
DD_MAX
= 3.63V * 50mA = 181.5mW
2. Junction Temperature.
Junction temperature, Tj, is the temperature at the junction of the bond wire and bond pad and directly affects the reliability of the
device. The maximum recommended junction temperature for HiPerClockS
TM devices is 125°C.
The equation for Tj is as follows: Tj =
θ
JA * Pd_total + TA
Tj = Junction Temperature
θ
JA = Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Pd_total = Total Device Power Dissipation (example calculation is in section 1 above)
T
A = Ambient Temperature
In order to calculate junction temperature, the appropriate junction-to-ambient thermal resistance
θ
JA must be used. Assuming a
moderate air flow of 200 linear feet per minute and a multi-layer board, the appropriate value is 103.3°C/W per Table 5 below.
Therefore, Tj for an ambient temperature of 70°C with all outputs switching is:
70°C + 0.182W * 103.3°C/W = 88.8°C. This is below the limit of 125°C.
This calculation is only an example. Tj will obviously vary depending on the number of loaded outputs, supply voltage, air flow, and
the type of board (multi-layer).
TABLE 5. THERMAL RESISTANCE
θθθθθ
JA
FOR
8-LEAD SOIC, FORCED CONVECTION
θθθθθ
JA
by Velocity (Linear Feet per Minute)
0
200
500
Single-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
153.3°C/W
128.5°C/W
115.5°C/W
Multi-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
112.7°C/W
103.3°C/W
97.1°C/W
NOTE: Most modern PCB designs use multi-layered boards. The data in the second row pertains to most designs.
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PDF描述 |
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