參數(shù)資料
型號(hào)： ICS850S1201BGILF
廠商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC CLOCK MUX 12:1 250MHZ 20TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 74
系列： HiPerClockS™
類型： 多路復(fù)用器
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 12:1
差分 - 輸入:輸出： 無(wú)/無(wú)
輸入： LVCMOS，LVTTL
輸出： LVCMOS，LVTTL
頻率 - 最大： 250MHz
電源電壓： 2.375 V ~ 3.465 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-TSSOP
包裝： 管件
ICS850S1201BGI REVISION A JANUARY 4, 2010
4
2010 Integrated Device Technology, Inc.
ICS850S1201I Data Sheet
12:1 SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
Absolute Maximum Ratings
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect product reliability.
DC Electrical Characteristics
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
Table 4B. Power Supply DC Characteristics, VDD = 2.5V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
4.6V
Inputs, VI
-0.5V to VDD + 0.5V
Outputs, VO
-0.5V to VDD + 0.5V
Package Thermal Impedance,
θ
JA
87.2
°C/W (0 mps)
Storage Temperature, TSTG
-65
°C to 150°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
IDD
Power Supply Current
Output Unterminated
49
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
2.375
2.5
2.625
V
IDD
Power Supply Current
Output Unterminated
41
mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ICS851010AYILF 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC CLK BUFFER 1:10 250MHZ 32TQFP
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