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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S16800-8TIG |
| 英文描述： | ER 14C 14#16 SKT PLUG |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 24/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S16800-8TIG |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
24
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
Write to Read Command Interval
The write command to read command interval is also a minimum of 1 cycle. Only the write data before the read command
will be written. The data bus must be Hi-Z at least one cycle prior to the first D
OUT
.
WRITE to READ Command Interval
Burst lengh=4
CLK
Command
CA
S
l
a
t
e
n
cy
=
2
DQ
Command
CA
S
l
a
t
e
n
cy
=
3
DQ
QB0
QB3
QB2
QB1
WRITE A
Write A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
QB0
QB3
QB2
QB1
1 cycle
Read B
DA0
Read B
DA0
Hi-Z
Hi-Z
Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
DQM must be in High at least 3 clocks prior to the write command. There is a restriction to avoid a data conflict. The data
bus must be Hi-Z using DQM before Write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16800L-8TIG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S32200 | RES 1M-OHM 1% 0.1W 100PPM THICK-FILM SMD-0603 5K/REEL-7IN-PA |
| IC42S32200L | 512K Words x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S32202L-8BIG | 512K x 32 Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
| IC42S32202-7B | 512K x 32 Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16800D-6TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:128MB SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16800D-7TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S16800D-7TLTR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IC42S16800E-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IC42S16800E-7TLTR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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