您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BSZ100N03MSGIN

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " BSZ100N03MSGIN " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSZ100N03MSGIN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSZ100N03MSGIN 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ100N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.1 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ100N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ099N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSZ0994NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):890pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSZ097N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2080pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1
配單專家

在采購BSZ100N03MSGIN進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BSZ100N03MSGIN產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買BSZ100N03MSGIN相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的BSZ100N03MSGIN信息由會員自行提供,BSZ100N03MSGIN內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號