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BSZ215CHXTMA1

BSZ215CHXTMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
328660
INFINEON
con
24+
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

BSZ215CHXTMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328660
INFINEON
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

BSZ215CHXTMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
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現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

BSZ215CHXTMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328660
INFINEON
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BSZ215CHXTMA1
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
328660
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BSZ215CHXTMA1
中山市翔美達電子科技有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
3000
英飛凌
TO-3P
22+
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原裝現(xiàn)貨

BSZ215CHXTMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TSDSON-8-FL（3.3x3
19+
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代理直銷！進口原裝正品！

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BSZ215CHXTMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
汽車級，AEC-Q101，OptiMOS?
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
N 和 P 溝道互補型
FET 功能
邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
5.1A， 3.2A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
55 毫歐 @ 5.1A， 4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 110μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
419pF @ 10V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商器件封裝
PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）
標準包裝
5,000

BSZ215CHXTMA1 技術(shù)參數(shù)

BSZ180P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），39.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 48μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2220pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:5,000 BSZ180P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），39.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 48μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2220pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 標準包裝:1 BSZ16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.9A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.9A（Ta），31A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0