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BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1
現(xiàn)貨
集好芯城
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聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
65555
INFINEON/英飛凌
PG-TDSON-8
22+
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原廠原裝現(xiàn)貨

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
329156
INFINEON
con
24+
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
INFINEON
con
24+
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場效應(yīng)管

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
329156
INFINEON
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

BSZ900N20NS3GATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室
329156
INFINEON
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

BSZ900N20NS3GATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
329156
INFINEON
con
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BSZ900N20NS3GATMA1
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
INFINEON
con
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場效應(yīng)管

BSZ900N20NS3GATMA1
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
329156
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深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
12400
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TDSON-8
2022+
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原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
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一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
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聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場1棟613室
3000
英飛凌
TO-3P
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原裝現(xiàn)貨

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深圳市百潤電子有限公司
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聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場D1棟26A
21
INFINEON
TSDSON8
22+
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全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

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科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主營優(yōu)勢
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100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

BSZ900N20NS3GATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSZ900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ900N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:510pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ900N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:510pF @ 75V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ520N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:890pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ520N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:890pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0 BT1.5M-M BT1.5M-M0

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