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BSZ-3

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BSZ-3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 電話連接器 COLORED BOOT EASYCON -ORANGE
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Switchcraft
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 1/4 in
  • 開關(guān)配置
  • Switched
  • 型式
  • Female
  • 位置/觸點(diǎn)數(shù)量
  • 端接類型
  • Solder
  • 安裝風(fēng)格
  • Chassis (Panel)
  • 方向
BSZ-3 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ240N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:37A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:66W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ240N12NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:37A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 60V 功率 - 最大值:66W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ215CHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.1A， 3.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 5.1A， 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3
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