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APT100GLQ65JU3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APT100GLQ65JU3
    APT100GLQ65JU3

    APT100GLQ65JU3

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT100GLQ65JU3
    APT100GLQ65JU3

    APT100GLQ65JU3

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT100GLQ65JU3
    APT100GLQ65JU3

    APT100GLQ65JU3

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 600V 100A 430W

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APT100GLQ65JU3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 600V 100A 430W ISOTOP
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • 溝槽型場(chǎng)截止
  • 配置
  • 單斬波器
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 650V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 165A
  • 功率 - 最大值
  • 430W
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.3V @ 15V，1000A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 50μA
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 6.1nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • ISOTOP?
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APT100GLQ65JU3 技術(shù)參數(shù)
  • APT100GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:103A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:620nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:100A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B
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