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APT10SCD65K

APT10SCD65K
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc,iscsemi
TO-220-2L
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

APT10SCD65K
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1230
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT10SCD65K
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1015
MICROSEMI/美高森美
TO-220
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

APT10SCD65K
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
236
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT10SCD65K
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現(xiàn)貨電話010-6210493...

APT10SCD65K
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4793
Microsemi
TO-220
2236+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT10SCD65K 技術(shù)參數(shù)

APT10SCD120K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10SCD120BCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:600pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:600pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:142A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 71A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10M11JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:142A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 71A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX