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APT11F80S

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    APT11F80S

    APT11F80S

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：駱小姐

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    地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world， A棟2203A

  • 100134

  • Microsemi Corporation

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • APT11F80S
    APT11F80S

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

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  • 4810

  • Microchip / Microsemi

  • D3PAK-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT11F80S 技術(shù)參數(shù)
  • APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準包裝:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1700V 電流 - 平均整流（Io）:23A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1700V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:1120pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準包裝:30 APT10SCE120B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 電流 - 平均整流（Io）:43A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:630pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準包裝:30 APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:300pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準包裝:1 APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:17A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時間 > 500mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:300pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準包裝:1 APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY
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