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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS3.0NB2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | CAP OXI NIOB 22UF 10V 20% SMD |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管穩(wěn)壓電源 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | HZS3.0NB2 |
HZS-N Series
Rev.1.00, Mar.11.2004, page 5 of 6
Main Characteristic
0
5
10 15 20 25 30 35 40
50
40
30
20
10
0
10
20
30
40
50
200
150
100
50
0
2.5 mm
3 mm
l
l
=
5 mm
l
=
10 mm
(Publication value)
Z
γ
Z
°
C
%/
°
C
mV/
°
C
Fig.2 Temperature Coefficient vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
Z
γ
Z
°
C
500
400
300
200
100
0
P
Printed circuit board
100
×
180
×
1.6t mm
Material: paper phenol
Fig.3 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Ambient Temperature Ta (
°
C)
0
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
20
24
28
32
40
36
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
0
Fig.1 Zener current vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
Z
Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS20NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS30NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS39NB1 | DIODE ZENER SINGLE 350mW 18Vz 7mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 14 SOT-23 3K/REEL |
| HZS39NB2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS39NB3 | DIODE ZENER DUAL ISOLATED 200mW 18Vz 7mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 14 SOT-363 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS30N-B2(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS30N-B3(TD-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HZS30NB4 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS33 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
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