參數(shù)資料
型號(hào)： HYS72D32300GBR-6-C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 184-Pin Registered Double Data Rate SDRAM Module
中文描述： 184針注冊(cè)雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM模塊
文件頁(yè)數(shù)： 22/38頁(yè)
文件大小： 1121K
代理商： HYS72D32300GBR-6-C
t
DIPW
t
HZ
t
LZ
t
DQSS
t
DQSQ
HYS72D[128/64/32][300/320]GBR–[5/6]–C
Registered Double Data Rate SDRAM
Current Specification and Conditions
Data Sheet
22
Rev. 1.0, 2004-03
07302003-2MI6-FOP1
4.1
AC Characteristics
Table 12
Parameter
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200 and PC2700
Symbol –5
–6
DDR333
Min.
–0.7
–0.6
0.45
0.45
min. (
t
CL
,
t
CH
)
6
Unit Note/ Test
Condition
1)
DDR400B
Min.
–0.5
–0.6
0.45
0.45
min. (
t
CL
,
t
CH
)
5
Max.
+0.5
+0.6
0.55
0.55
Max.
+0.7
+0.6
0.55
0.55
DQ output access time from CK/CK
DQS output access time from CK/CK
CK high-level width
CK low-level width
Clock Half Period
Clock cycle time
t
AC
t
DQSCK
t
CH
t
CL
t
HP
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
8
12
CL = 3.0
2)3)4)5)
6
12
6
12
ns
CL = 2.5
2)3)4)5)
7.5
12
7.5
12
ns
CL = 2.0
2)3)4)5)
DQ and DM input hold time
DQ and DM input setup time
Control and Addr. input pulse width (each
input)
DQ and DM input pulse width (each input)
Data-out high-impedance time from CK/CK
Data-out low-impedance time from CK/CK
Write command to 1
st
DQS latching transition
DQS-DQ skew (DQS and associated DQ
signals)
Data hold skew factor
DQ/DQS output hold time
DQS input low (high) pulse width (write cycle)
DQS falling edge to CK setup time (write cycle)
t
DSS
DQS falling edge hold time from CK (write
cycle)
Mode register set command cycle time
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
Address and control input setup time
t
DH
t
DS
t
IPW
0.4
0.4
2.2
—
—
—
0.45
0.45
2.2
—
—
—
ns
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
1.75
—
–0.7
0.72
—
—
+0.7
+0.7
1.25
+0.40
1.75
–0.7
–0.7
0.75
—
—
+0.7
+0.7
1.25
+0.40
ns
ns
ns
t
CK
ns
2)3)4)5)6)
2)3)4)5)7)
2)3)4)5)7)
2)3)4)5)
TFBGA
2)3)4)5)
t
QHS
t
QH
t
DQSL,H
—
t
HP
–
t
QHS
0.35
0.2
0.2
+0.50
—
+0.50
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
TFBGA
2)3)4)5)
2)3)4)5)
—
—
—
0.35
0.2
0.2
—
—
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
DSH
2)3)4)5)
t
MRD
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
2
0
0.40
0.25
0.6
—
—
0.60
—
—
2
0
0.40
0.25
0.75
—
—
0.60
—
—
t
CK
ns
t
CK
t
CK
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
fast slew rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
fast slew rate
3)4)5)6)10)
Address and control input hold time
t
IH
0.6
—
0.75
—
ns
0.7
—
0.8
—
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS72D64300GBR-5-C 184-Pin Registered Double Data Rate SDRAM Module
HYS72D32300GBR-5-C Aluminum Polymer Radial Lead Capacitor; Capacitance: 820uF; Voltage: 2.5V; Case Size: 8x12 mm; Packaging: Bulk
HYS72D32300GBR 184-Pin Registered Double Data Rate SDRAM Module
HYS72D64320HU-5-C 184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D16301HU-5-C 184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules
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參數(shù)描述
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HYS72D32300GBR-7-C 制造商:QIMONDA 制造商全稱(chēng):QIMONDA 功能描述:184-Pin Registered Double Data Rate SDRAM Module
HYS72D32300GU-5-B 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules
HYS72D32300GU-5-C 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:184-Pin Unbuffered Double Data Rate SDRAM
HYS72D32300GU-6-B 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:184-Pin Unbuffered Dual-In-Line Memory Modules
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