參數(shù)資料
型號: HYS64V4120GU-10
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 3.3V 4M x 64-Bit 2 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit 2 BANK SDRAM Module
中文描述: 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168
封裝: DIMM-168
文件頁數(shù): 8/11頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: HYS64V4120GU-10
HYS64(72)V4120GU-10
4M x 64/72 SDRAM-Module
Semiconductor Group
8
CAS to CAS delay time (same bank)
t
CCD
1
CLK
Refresh Cycle
Self Refresh Exit Time
t
SREX
2Clk
+t
RC
ns
8
Refresh Period (4096 cycles)
t
REF
64
ms
7
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
3
ns
Data Out to Low Impedance Time
0
ns
Data Out to High Impedance Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CAS Latency = 1
6
8
25
ns
ns
ns
9
DQM Data Out Disable Latency
t
DQZ
2
CLK
Write Cycle
Data In Setup Time
t
DS
t
DH
t
DPL
t
DAL
t
DQW
3
ns
Data In Hold Time
Data input to Precharge
1
ns
CLK
2
Data In to Active/refresh
5
CLK
10
DQM Write Mask Latency
0
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-10
min
max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS72V4120GU-10 3.3V 4M x 64-Bit 2 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit 2 BANK SDRAM Module
HYS64V4120GU 3.3V 4M x 64-Bit 2 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit 2 BANK SDRAM Module
HYS64V64220GBDL 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
HYS64V64220GBDL-7-D 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
HYS64V64220GBDL-75-D 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
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參數(shù)描述
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HYS64V4220GCDL-7.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module