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參數(shù)資料
| 型號： | HYS 64V4300GU |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3 V 4M × 64-Bit 1 Bank SDRAM Module(3.3 V 4M × 64-位 × 1列同步動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 3.3伏4米× 64位一銀行內(nèi)存模塊（3.3伏分× 64 -位× 1列同步動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | HYS 64V4300GU |
HYS 64V4300GU
SDRAM-Modules
Data Book
6
12.99
Operating Currents
1
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted)
Parameter
Test Condition Symbol
-7.5
-8
Unit
Note
max.
Operating current
t
RC
=
t
RC(MIN.)
,
t
CK
=
t
CK(MIN.)
Outputs open, Burst Length = 4, CL=3
All banks operated in random access,
all banks operated in ping-pong
manner to maximize gapless data
access
–
I
CC1
140
130
mA
1)
Precharge standby current
in Power Down Mode
CS =
V
IH (MIN.)
, CKE
≤
V
IL(MAX.)
Precharge stand-by current
in Non Power Down Mode
CS =
V
IH (MIN.)
, CKE
≥
V
IH(MIN.)
No operating current
t
CK
= min., CS =
V
IH (MIN.)
,
active state (max. 4 banks)
t
CK
= min
t
CK
= infinity
I
CC2P
I
CC2PS
2
2
mA
1)
1
1
mA
1)
t
CK
= min
t
CK
= infinity
I
CC2N
I
CC2NS
40
35
mA
1)
5
5
mA
1)
CKE
≥
V
IH(MIN.)
CKE
≤
V
IL(MAX.)
I
CC3N
I
CC3P
50
45
mA
1)
8
8
mA
1)
Burst Operating Current
t
CK
= min
Read command cycling
–
I
CC4
110
100
mA
1, 2)
Auto Refresh Current
t
CK
= min
Auto Refresh command cycling
–
I
CC5
140
130
mA
1)
Self Refresh Current
Self Refresh Mode
CKE = 0.2 V
I
CC6
1
1
mA
1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS 64V8220GDL | 3.3 V SDRAM Module(3.3 V SDRAM 模塊) |
| HYS 64V4200GDL | 3.3 V SDRAM Modules(3.3 V 同步動態(tài)RAM模塊) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS64V4300GU-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYS64V4300GU-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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| HYS64V64220GBDL-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|64MX64|CMOS|DIMM|144PIN|PLASTIC |
| HYS64V64220GBDL-7.5-C2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?512MB PC133 (3-3-3) 2-bank. FBGA based. End-of-Life? |
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