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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5118165BST-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 19/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BST-60 |
Semiconductor Group
19
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify Write Cycle
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WL17
L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB5116165BJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5116165BJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
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| HYB5118165BJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB514100AZ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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