參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5118165BST-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 15/26頁(yè)
文件大小： 269K
代理商： HYB5118165BST-60
Semiconductor Group
15
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Write Cycle (OE Controlled Write)
Valid Data
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
ODD
t
CWL
t
DZO
t
OEA
t
CLZ
t
DS
t
OEZ
t
DH
t
RC
VIH
VIL
Row
t
DZC
“H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
Column
Row
t
ASC
t
RAD
t
RAL
t
CAH
t
RAH
RAS
UCAS
LCAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RCD
.
t
RAS
t
CSH
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
ASR
t
ASR
WL3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYB5116165BJ-60 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
HYB5116165BJ-70 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
HYB5116165BSJ-50- 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
HYB5118165BJ-50 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh
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參數(shù)描述
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HYB514100AZ-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
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