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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5118165BST-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RES 110-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/26頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | HYB5118165BST-50 |
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Semiconductor Group
23
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Hidden Refresh Cycle (Early Write)
RAS
I/O
(Output)
I/O
(Input)
WE
Address
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
UCAS
LCAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
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RCD
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RSH
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RAD
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CAH
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WCS
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WCH
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WP
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ASR
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RAH
t
DS
t
DH
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CRP
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CHR
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RP
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RAS
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RC
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RP
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ASC
Row
Row
Valid Data
HI-Z
Column
VOH
VOL
t
WRP
t
WRH
WL12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5118165BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5116165BJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5116165BJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5116165BJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| HYB5116165BSJ-50- | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118165BST-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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| HYB514100AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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| HYB514100AZ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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