參數(shù)資料
型號: HYB5118165BST-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: RES 110-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA
中文描述: 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù): 22/26頁
文件大?。?/td> 269K
代理商: HYB5118165BST-50
Semiconductor Group
22
HYB 5116(8)165BSJ-50/-60/-70
1M x 16-EDO DRAM
Hidden Refresh Cycle (Read)
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
UCAS
LCAS
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
CRP
t
CHR
t
RAD
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
ASR
t
RCS
t
RRH
t
AA
t
OEA
t
DZC
t
DZO
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
CDD
t
RCD
t
RSH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
t
WRP
t
WRH
“H” or “L”
Valid Data Out
Row
Column
Row
HI-Z
VOH
VOL
WL11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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