參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5117405BT-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
文件頁數(shù)： 21/28頁
文件大?。?/td> 323K
代理商： HYB5117405BT-50
Semiconductor Group
21
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Hidden Refresh Cycle (Read)
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
CRP
t
CHR
t
RAD
t
CAH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
ASR
t
RCS
t
RRH
t
AA
t
OEA
t
DZC
t
DZO
t
CAC
t
RAC
t
CLZ
t
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
CDD
t
RCD
t
RSH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
t
WRP
t
WRH
“H” or “L”
Valid Data Out
Row
Column
Row
HI-Z
VOH
VOL
WL11
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PDF描述
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HYB5117405BT-60 RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88%
HYB5117405BT-70 POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88%
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