參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5116405BT-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
文件頁數(shù)： 24/28頁
文件大?。?/td> 323K
代理商： HYB5116405BT-60
Semiconductor Group
24
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
CAS-Before-RAS Refresh Counter Test Cycle
t
CSR
t
ASR
t
ASC
t
CHR
t
CP
t
WRP
t
RAL
t
CAH
t
RSH
t
CAS
t
RP
t
RAS
t
RCS
t
CDD
t
CAC
t
AA
t
WRH
t
OEA
t
ODD
t
CLZ
t
DZC
t
DZO
t
OEZ
t
OFF
t
RWL
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
WRH
t
WRP
t
DS
t
DH
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
I/O
(Inputs)
OE
WE
Address
CAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
WE
OE
Column
Row
Data Out
Data In
HI-Z
Read Cycle:
Write Cycle:
t
RRH
t
RCH
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PDF描述
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HYB5117405BT-70 POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88%
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