參數資料
型號： HYB5116405BT-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24
文件頁數： 16/28頁
文件大?。?/td> 323K
代理商： HYB5116405BT-60
Semiconductor Group
16
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
Column 2
Row
Data Out
1
RAS
I/O
(Output)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
HPC
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CAH
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RAD
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RHCP
t
ASC
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RCS
t
RRH
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RAC
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AA
t
CAC
t
CLZ
t
OEA
t
OES
t
COH
t
CAC
t
AA
t
CPA
Data Out
Column N
Column 1
Data Out
N
t
OEZ
t
OFF
t
CAC
t
AA
t
CPA
2
t
COH
WL5
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PDF描述
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HYB5117405BT-70 POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88%
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