參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5116405BT-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
文件頁(yè)數(shù)： 28/28頁(yè)
文件大小： 323K
代理商： HYB5116405BT-50
Semiconductor Group
28
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Package Outlines
Plastic Package P-TSOPII-26/24 (300mil)
(Thin small outline package, SMD)
1)Doesnotincludeplasticormetalprotrusionof0.15max.perside
24x
0.2
M
-0.1
-0.2
0.6
0.1
1)
IndexMarking
9.22
13
1
14
26
7.62
+0.12
0.4
1.27
17.27
0.2
-
0.13
-
-0.25
GPX05857
GPJ05628
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB5117405BT-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5116405BT-70 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5116405BJBT-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5116405BT-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5117405BT-60 RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88%
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參數(shù)描述
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