參數(shù)資料
型號(hào): HYB511000BJL-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述: 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
文件頁(yè)數(shù): 4/22頁(yè)
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代理商: HYB511000BJL-60
Semiconductor Group
36
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Block Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB511000BJ- 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-70 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50-60 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-41
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB511000BJL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BL-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BL-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BZ-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BZ-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM