參數(shù)資料
型號: HYB511000BJL-60
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述: 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
文件頁數(shù): 3/22頁
文件大小: 192K
代理商: HYB511000BJL-60
Semiconductor Group
35
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Pin Configuration
(top view)
SOJ-26/20-1
相關PDF資料
PDF描述
HYB511000BJ- 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-70 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50-60 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-41
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB511000BJL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BL-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BL-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BZ-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BZ-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM