參數(shù)資料
型號(hào)： HYB511000BJ-
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述： 1個(gè)M × 1位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的低功耗1個(gè)Mⅴ1位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 9/22頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： HYB511000BJ-
Semiconductor Group
41
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Write command setup
time
10)
t
WCS
0
–
0
–
0
–
ns
CAS to WE delay
time
RAS to WE delay time
10)
t
RWD
Column address to WE
delay time
10)
t
CWD
15
–
15
–
20
–
ns
50
–
60
–
70
–
ns
10)
t
AWD
25
–
30
–
35
–
ns
CAS setup time (CAS-
before-RAS cycle)
t
CSR
5
–
5
–
5
–
ns
CAS hold time (CAS-
before-RAS cycle)
t
CHR
10
–
15
–
15
–
ns
RAS to CAS precharge
time
t
RPC
0
–
0
–
0
–
ns
CAS precharge time
(CAS-before-RAS
counter test cycle)
t
CPT
25
–
30
–
40
–
ns
Test mode enable setup
time referenced to RAS
t
TES
0
–
0
–
0
–
ns
Test mode enable hold
time referenced to RAS
t
TEHR
0
–
0
–
0
–
ns
Test mode enable hold
time referenced to CAS
t
TEHC
0
–
0
–
0
–
ns
Capacitance
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input capacitance (A0 to A9, DI)
C
I1
C
I2
C
O
–
5
pF
Input capacitance (RAS, CAS, WE, TF)
–
7
pF
Output capacitance (DO)
–
7
pF
AC Characteristics
(cont’d)
4) 13)
T
A
= 0 to 70 C;
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-50
-60
-70
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB511000BJL-70 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50-60 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-41
HYB5116400BJ-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB511000BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BJL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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