參數(shù)資料
型號： HYB511000BJ-
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述： 1個M × 1位動態(tài)隨機(jī)存儲器的低功耗1個Mⅴ1位動態(tài)隨機(jī)存儲器
文件頁數(shù)： 12/22頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： HYB511000BJ-
Semiconductor Group
44
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Write Cycle (Early Write)
RAS
CAS
A0 - A9
WE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
.
t
RAS
t
RC
t
CSH
t
RAD
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
RAL
t
ASR
t
CAH
t
ASR
(Input)
(Output)
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
ASC
t
WCH
Valid Data In
t
DS
t
DH
Hi Z
Column
Address
Address
Row
Row
Address
t
RAH
t
WCS
“H” or “L”
DI
VIH
VIL
DO
VOH
VOL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB511000BJL-70 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB5116400BJ-50-60 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-41
HYB5116400BJ-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB511000BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BJL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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