參數(shù)資料
型號(hào)： HYB511000BJ-60
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
中文描述： 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20
文件頁(yè)數(shù)： 14/22頁(yè)
文件大小： 192K
代理商： HYB511000BJ-60
Semiconductor Group
46
HYB 511000BJ/BJL-50/-60/-70
1 M
×
1-DRAM
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB511000BJ-70 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-50 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-60 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ- 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-70 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
HYB511000BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJ-80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HYB511000BJL-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
HYB511000BJL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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